Ang ubos nga temperatura nga bahin sa barium metaborate (β-BaB₂O₄, BBO alang sa mubo) nga kristal iya sa tripartite kristal nga sistema, 3m punto nga grupo. Niadtong 1949, si Levinug uban pa. nadiskobrehan sa ubos nga temperatura nga bahin barium metaborate BaB₂O₄ compound. Niadtong 1968, si Brixnerug uban pa. gigamit ang BaCl₂ ingon nga flux aron makakuha usa ka transparent nga kristal nga sama sa dagom. Niadtong 1969, gigamit ni Hubner si Li₂O ingon nga flux nga motubo 0.5mm × 0.5mm × 0.5mm ug gisukod ang sukaranan nga datos sa Densidad, mga parameter sa cell ug grupo sa wanang. Human sa 1982, ang Fujian Institute of Matter Structure, Chinese Academy of Sciences migamit sa molten-salt seed-crystal method aron motubo ang dako nga single crystal in flux, ug nakit-an nga ang BBO crystal usa ka maayo kaayo nga ultraviolet frequency-doubling material. Para sa electro-optic Q-switching nga aplikasyon, ang BBO crystal adunay disbentaha sa ubos nga electro-optic coefficient nga mosangpot sa taas nga half-wave nga boltahe, apan kini adunay talagsaong bentaha sa taas kaayo nga laser damage threshold.

Ang Fujian Institute of Matter Structure, Chinese Academy of Sciences nagpahigayon ug sunodsunod nga trabaho sa pagtubo sa BBO crystals. Sa 1985, usa ka kristal nga adunay gidak-on nga φ67mm × 14mm ang gipatubo. Ang kristal nga gidak-on miabot sa φ76mm × 15mm sa 1986 ug φ120mm × 23mm sa 1988.

Ang pagtubo sa mga kristal labaw sa tanan nagsagop sa tinunaw-asin nga liso-kristal nga pamaagi (nailhan usab nga top-seed-crystal method, flux-lifting method, ug uban pa). Ang rate sa pagtubo sa kristal sac-Ang direksyon sa axis hinay, ug lisud ang pagkuha sa taas nga kalidad nga taas nga kristal. Dugang pa, ang electro-optic coefficient sa BBO nga kristal medyo gamay, ug ang mubo nga kristal nagpasabut nga mas taas nga boltahe sa pagtrabaho ang gikinahanglan. Niadtong 1995, si Goodnoug uban pa. gigamit ang BBO isip electro-optic nga materyal alang sa EO Q-modulation sa Nd: YLF laser. Ang gidak-on niini nga BBO nga kristal mao ang 3mm × 3mm × 15mm (x, y, z), ug gisagop ang transverse modulation. Bisan kung ang ratio sa gitas-on sa gitas-on sa kini nga BBO moabot sa 5: 1, ang boltahe sa quarter-wave hangtod sa 4.6 kV, nga mga 5 ka beses sa EO Q-modulation sa LN nga kristal sa parehas nga mga kondisyon.

Aron makunhuran ang operating boltahe, ang BBO EO Q-switch naggamit og duha o tulo ka kristal nga magkauban, nga nagdugang sa pagkawala sa pagsal-ot ug gasto. Nickelug uban pa. gipakunhod ang katunga sa balud nga boltahe sa BBO nga kristal pinaagi sa paghimo sa kahayag nga moagi sa kristal sa daghang mga higayon. Sama sa gipakita sa numero, ang laser beam moagi sa kristal sa upat ka beses, ug ang paglangan sa hugna tungod sa taas nga salamin nga salamin nga gibutang sa 45 ° gibayran sa wave-plate nga gibutang sa optical path. Niining paagiha, ang half-wave nga boltahe niining BBO Q-switch mahimong ubos sa 3.6 kV.

Figure 1. BBO EO Q-modulation nga adunay ubos nga half-wave nga boltahe - WISOPTIC

Niadtong 2011 si Perlov ug uban pa. migamit sa NaF isip flux sa pagpatubo sa BBO nga kristal nga may gitas-on nga 50mm inc-axis nga direksyon, ug nakuha ang BBO EO device nga adunay gidak-on nga 5mm × 5mm × 40mm, ug adunay optical uniformity nga mas maayo kaysa 1 × 10⁻⁶ cm⁻¹, nga nagtagbo sa mga kinahanglanon sa EO Q-switching nga mga aplikasyon. Bisan pa, ang siklo sa pagtubo sa kini nga pamaagi labaw pa sa 2 ka bulan, ug taas pa ang gasto.

Sa pagkakaron, ang ubos nga epektibong EO coefficient sa BBO crystal ug ang kalisud sa pagtubo sa BBO nga adunay dako nga gidak-on ug taas nga kalidad nagpugong gihapon sa BBO's EO Q-switching application. Apan, tungod sa taas nga laser kadaot threshold ug abilidad sa pagtrabaho sa taas nga pagbalik-balik frequency, BBO kristal mao gihapon ang usa ka matang sa EO Q-modulation nga materyal nga adunay importante nga bili ug nagsaad sa umaabot.

Figure 2. BBO EO Q-Switch nga adunay ubos nga half-wave nga boltahe - Gihimo sa WISOPTIC Technology Co., Ltd.